VIGO Photonics公司碲镉汞红外探测器
碲镉汞HgCdTe(MCT)室温型/TE制冷型光伏多结红外探测器(带光学增强透镜) PVMI-10.6/PVMI-2TE-10.6/PVMI-4TE-10.6
★ 探测器型号描述
| 型号 | 制冷方式 | 光敏面积 | 光学增强 | 封装 | 最大入射角 | 窗口片 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PVMI-10.6-1x1 | 非制冷 | 1mm x 1mm | 有 | TO39(3pin) | ~36° | 无 |
| PVMI-2TE-10.6-1x1 | 2TE，Tchip≈230K | TO8或TO66 | wZnSeAR (3°硒化锌楔形窗口, 防反射镀膜) |
|||
| PVMI-4TE-10.6-1x1 | 4TE，Tchip≈197K |
★ 产品参数（Tamb=293K, Vb=0V）
| 型号 | 波长范围 | 峰值波长 | 探测率 | 电流响应度 | 时间常数 | 动态电阻 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| λcut-on~λcut-off | λpeak | D*(λpeak,20KHz) | D*(λspec,20KHz) | Ri@λpeak | Ri@λspec | τ | Rd | |
| μm | μm | cm·Hz1/2/W | A/W | ns | Ω | |||
| PVMI-10.6-1x1 | 2.0~12.0 | 8.5±1.0 | 2.0x108 | ≥1.0x108 | 0.02 | ≥0.01 | 1.5 | ≥20 |
| PVMI-2TE-10.6-1x1 | 2.0~13.0 | 8.0±1.0 | 2.0x109 | ≥1.0x109 | 0.2 | ≥0.1 | 3 | ≥90 |
| PVMI-4TE-10.6-1x1 | 2.0~12.0 | 9.0±1.0 | 3.0x109 | ≥2.5x109 | 0.36 | ≥0.18 | ≥120 | |
★ 典型的光谱响应曲线(Tamb=293K)
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